Étude des propriétés de transport de structures MgO/GaAs (001) pour l'électronique de spin

Download or read book Étude des propriétés de transport de structures MgO/GaAs (001) pour l'électronique de spin written by Sylvain Le Gall and published by . This book was released on 2010 with total page 169 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Cette thèse s’inscrit dans le domaine de recherche ayant trait au développement de dispositifs basés sur l’injection et la détection de courant polarisé en spin associant métaux ferromagnétiques (FM), semi-conducteurs (SC) et oxydes. La jonction FM/MgO/GaAs apparait comme un candidat prometteur dans ce domaine. Nos travaux ont porté sur l’étude des mécanismes de transport et des propriétés électriques et électroniques (par des mesures I(V) et C(V)) d’hétérostructures métal/MgO/GaAs_n pour différentes concentrations de dopage du semi-conducteur et d’épaisseurs d’oxyde. Les mécanismes qui gouvernent le transport électronique ont été identifiés et le mode de fonctionnement des différentes structures compris. Nos résultats montrent qu’aucune de nos structures métal/MgO/GaAs ne permet d’accéder au critère théorique énoncé par Fert et Jaffrès pour une structure latérale FM/barrière tunnel/SC/barrière tunnel/FM : d’après notre étude, il n’est pas possible, par notre méthode de préparation, de réaliser des dispositifs basés sur le contact MgO/GaAs permettant d’injecter et de détecter efficacement un courant polarisé en spin à température ambiante. Ceci s’explique par le fait que pendant la phase de dépôt du MgO, des défauts sont induits dans la bande interdite du semi-conducteur sur des profondeurs de plusieurs dizaines de nanomètres.