Croissance épitaxiale et propriétés magnétiques d'hétérostructures de Mn5Ge3 sur Ge pour des applications en électronique de spin

Croissance épitaxiale et propriétés magnétiques d'hétérostructures de Mn5Ge3 sur Ge pour des applications en électronique de spin
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Book Synopsis Croissance épitaxiale et propriétés magnétiques d'hétérostructures de Mn5Ge3 sur Ge pour des applications en électronique de spin by : Aurélie Spiesser

Download or read book Croissance épitaxiale et propriétés magnétiques d'hétérostructures de Mn5Ge3 sur Ge pour des applications en électronique de spin written by Aurélie Spiesser and published by . This book was released on 2011 with total page 148 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L’intégration de matériaux ferromagnétiques dans des hétérostructures semi-conductrices offre aujourd'hui de nouvelles perspectives dans le domaine de l’électronique de spin. Dans ce manuscrit sont présentés les résultats de la croissance par épitaxie par jets moléculaires d’hétérostructures de Mn5Ge3 sur Ge(111). Le Mn5Ge3 est un composé ferromagnétique jusqu'à température ambiante qui a l’avantage de pouvoir s’intégrer directement au Ge, semiconducteur du groupe IV. S'agissant d'un matériau relativement nouveau, un des efforts majeurs a porté sur la maîtrise de la croissance des couches minces de Mn5Ge3 par la technique d'épitaxie en phase solide (SPE). Un fort accent a été mis sur les caractérisations structurales, la détermination des relations d'épitaxie avec le Ge(111), afin de les relier aux propriétés magnétiques des films. La seconde partie de ce travail a été consacrée à l'étude des processus cinétiques d'incorporation de carbone dans les couches minces de Mn5Ge3. La combinaison des différents moyens de caractérisations structurales et magnétiques a permis d'aboutir à une augmentation notable de la température de Curie tout en conservant une excellente qualité structurale de la couche et de l'interface avec le Ge et une stabilité thermique jusqu’à 850°C. Tous ces résultats indiquent que les couches minces de Mn5Ge3épitaxiées sur Ge(111) apparaissent comme des candidats à fort potentiel pour l'injection de spin dans les semi-conducteurs du groupe IV


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